[其他]带动态控制的电荷耦合半导体器件在审
| 申请号： | 101985000004640 | 申请日： | 1985-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN1003335B | 公开（公告）日： | 1989-02-15 |
| 发明（设计）人： | 肖春京 | 申请（专利权）人： | 菲利浦光灯制造公司 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 肖春京 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 利用电极（２１、２２、３１、３２……）在钟信号和基准信号之间单独切换的方法，在ＣＣＤ，尤其在图象敏感器件中，信息密度能加倍，钟信号和基准信号作为受多相钟控制的移位寄存器（１３）的输出信号，它是（例如）用Ｃ－ＭＯＳ技术实现的，根据寄存器钟的钟脉冲信号，在移位寄存器（１３）的第一级（１０１）输入端（１０７）上的信息通过或通不过之后，它决定移位寄存器（１３）的下一级（１０１）的输出信号，因而决定连接到（１０１）级输出（１１３）的电极（２１、２２、３１、３２……）上电压的变化。 | ||
| 搜索关键词： | 动态控制 电荷 耦合 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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