[其他]晶体管在审
| 申请号： | 101985000005124 | 申请日： | 1985-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN1004844B | 公开（公告）日： | 1989-07-19 |
| 发明（设计）人： | 田中忠彦 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 肖春京 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有在网状发射极区（２２）进行接触的第１发射极电极（２６）及在岛状基极接触区（２３）进行接触的第１基极（２５）和设置在层间绝缘膜（２７）上面分别与上述的第１发射极电极（２６）和第１基极（２５）联结的第２发射极电极（２９）和第２基极电极（２８），上述第２发射极电极（２９）及上述第２基极电极（２８）形成梳齿状，使上述第２发射极电极（２９）和上述第１发射极电极（２６）在每个梳齿上进行带状的接触，通过大幅度地扩大接触面积来抑制电流的集中、小芯片面积而有较强的耐破坏力的高电流容器的晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 | ||
【主权项】：
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