[其他]化合物半导体平面结型器件欧姆接触的制备方法在审
| 申请号： | 101985000005699 | 申请日： | 1985-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN85105699B | 公开（公告）日： | 1987-02-25 |
| 发明（设计）人： | 吴丁芬;程宗权 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海冶金研究所 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 中国科学院上海专利事务所 | 代理人： | 季良赳 |
| 地址： | 上海长宁*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明是化合物半导体平面结型器件欧姆接触的制备方法。它使用同样的接触合金ＡｕＧｅ，可同时在平面器件的ｐ区和ｎ区得到满意的欧姆接触。使用本发明可减少蒸发光刻及热处理次数，简化工艺，提高成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 平面 器件 欧姆 接触 制备 方法 | ||
【主权项】：
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