[其他]具有高击穿电压的半导体器件在审
| 申请号： | 101985000006895 | 申请日： | 1985-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN85106895B | 公开（公告）日： | 1988-09-07 |
| 发明（设计）人： | 江本孝朗;盐见武夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 刘晖 |
| 地址： | 日本国神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及到高击穿电压半导体器件，而且是与半导体衬底有相同电导型的高掺杂杂质区形成在一起的半导体器件，其中，在半导体衬底的背面，第一杂质区的对面，规定好的部位上注入高掺杂杂质，并形成高掺杂杂质区，在与第一杂质区相同的中心部位上其注入宽度为Ｔ，并且满足ｔ |
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| 搜索关键词： | 具有 击穿 电压 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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