[其他]二氧化碲单晶体的生长技术在审
| 申请号： | 101985000007803 | 申请日： | 1985-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN1005159B | 公开（公告）日： | 1989-09-13 |
| 发明（设计）人： | 蒲芝芬;葛增伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 中国科学院上海专利事务所 | 代理人： | 潘振**;聂淑仪 |
| 地址： | 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
一种属于晶体生长技术的二氧化碲（ＴｅＯ |
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| 搜索关键词： | 氧化 单晶体 生长 技术 | ||
【主权项】：
暂无信息
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