[其他]降低核电站中放射性的方法在审

专利信息
申请号: 101985000008112 申请日: 1985-11-05
公开(公告)号: CN85108112B 公开(公告)日: 1987-11-04
发明(设计)人: 大桥健也;本田卓;古谷保正;村荣二;凑昭;大角克己 申请(专利权)人: 株式会社日立制作所
主分类号: 分类号:
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利代理部 代理人: 王栋令
地址: 日本国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 对与含有放射性物质的高压高温反应堆水相接触的金属结构元件,采用在暴露于反应堆水中之前即预先在其表面上形成氧化膜的方法降低核电站中的放射性,其特征为将所述的结构元件置于高温的环境介质中作第一步加热氧化处理,然后进一步再在比上述更高氧化能力的环境介质中进行第二步处理,由此形成比第一步氧化处理后得到的更为密实的氧化膜,本发明即藉此而实现显著地降低核电站中的放射性。
搜索关键词: 降低 核电站 放射性 方法
【主权项】:
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