[其他]半导体集成电路器件及其制造工艺在审
| 申请号： | 101985000008671 | 申请日： | 1985-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN1004777B | 公开（公告）日： | 1989-07-12 |
| 发明（设计）人： | 池田修二;小池淳义;目黑怜;奥山辛祐 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 张卫民 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在此公开的ＭＯＳＦＥＴ具有一个与源区和漏区的导电类型相同的低杂质浓度的半导体区域，以及与栅极分离的高杂质浓度的源区和漏区，由此减小短沟道效应并提高漏结的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 器件 及其 制造 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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