[其他]一种非接触式微波测量半导体材料少子寿命的装置在审
| 申请号： | 101986000001518 | 申请日： | 1986-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN1003094B | 公开（公告）日： | 1989-01-18 |
| 发明（设计）人： | 王宗欣 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 上海高校专利事务所 | 代理人： | 王福新;楼涛 |
| 地址： | 上海市邯郸*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用介质波导加红外光源非接触测试半导体材料少子寿命及电阻率的装置。该装置的测试结果与常规的有接触方法一致、操作简便，能够测量不同厚度片状样品的少子寿命以及同一样品上不同部位少于寿命的差异。由于是非接触测试，对于抛光片、离子注入片以及经过各种化学处理的半导体薄片尤为适宜，能够做到无损伤、无沾污。在集成电路、半导体器件的生产过程中可用作材料检验和工艺监控的重要手段。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 接触 式微 测量 半导体材料 少子 寿命 装置 | ||
【主权项】：
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