[其他]旁热式阴极的制造方法在审
| 申请号： | 101986000001824 | 申请日： | 1986-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN1004983B | 公开（公告）日： | 1989-08-09 |
| 发明（设计）人： | 小泉幸生 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 吴增勇 |
| 地址： | 日本国东京都千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及旁热式阴极的制造方法。此法包括通过还原金属氧化物薄膜，在阴极套筒的内表面上形成黑色薄膜的工艺－－而金属氧化物薄膜已事先通过加热而形成在含有还原材料的阴极套筒的所述内表面上。由此法制成的旁热式阴极同用常规方法制成的阴极相比具有较短的电子发射的发射预热时间和较低的功率消耗。 | ||
| 搜索关键词： | 旁热式 阴极 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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