[其他]减少双极器件的管道漏电和表面漏电的方法在审
| 申请号： | 101986000002476 | 申请日： | 1986-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN86102476B | 公开（公告）日： | 1988-03-23 |
| 发明（设计）人： | 潘姬;赵洪林;殷淑华 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 天津大学专利代理事务所 | 代理人： | 刘志刚;王国欣 |
| 地址： | 天津市南*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供一种简便易行的减少半导体器件的管道漏电流和表面漏电流的方法。本发明所提供的方法利用离子注入吸杂技术，在半导体基区表面附近的局部区域内和发射区表面附近的局部区域内形成远离ｅｂ结的吸杂缺陷。采用本发明所提供的方法不仅能有效地减少管道漏电和表面漏电，改善器件的性能，提高成品率，而且工艺简便，有利于降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 器件 管道 漏电 表面 方法 | ||
【主权项】：
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