[其他]金属—氧化铝—硅结构湿度传感器及其制备工艺在审

专利信息
申请号: 101986000002535 申请日: 1986-10-17
公开(公告)号: CN86102535B 公开(公告)日: 1988-11-16
发明(设计)人: 骆如杨 申请(专利权)人: 中国科学院上海冶金研究所
主分类号: 分类号:
代理公司: 中国科学院上海专利事务所 代理人: 季良赶;沈德新
地址: 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明是Si-MOS结构Al23湿度传感器,属于指示环境湿度的元器件。它是在低阻Si衬底上通过Al蒸发和阳极氧化及热处理制备一层稳定的多孔α-Al23,并而使Al23湿度传感器改善或克服了长期漂移问题,并能同时测量绝对湿度和相对湿度。本发明的湿度传感器测湿范围宽、灵敏度高、重复性和稳定性好,可广泛用于工业过程控制、环境湿度检测、各种高纯气体水含量分析、气密封装电子器件残留水份监测及电子器件的可靠性和失效机理研究等。
搜索关键词: 金属 氧化铝 结构 湿度 传感器 及其 制备 工艺
【主权项】:
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