[其他]应用侧壁及去除技术制做亚微米掩模窗口的方法在审
| 申请号： | 101986000007855 | 申请日： | 1986-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN86107855B | 公开（公告）日： | 1988-06-29 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·基姆巴尔·库克;约瑟夫·弗朗希斯·施帕德 | 申请（专利权）人： | 国际商用机器公司 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 邓明 |
| 地址： | 美国纽约州*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于在基底中制做窗口的方法，利用反应离子刻蚀技术，在基底上形成台面。在整个结构上淀积一膜层，并且将台面有选择地刻蚀掉，以在膜层中形成亚微米尺寸的窗口。用膜层作掩模，被掩模所露出的基底被反应离子蚀刻。给出了制做多晶硅基区双极性晶体管的发射区掩模的例子。 | ||
| 搜索关键词： | 应用 侧壁 去除 技术 制做 微米 窗口 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商用机器公司，未经国际商用机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/101986000007855/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
