[其他]沉积垂直方向电阻的方法在审
| 申请号： | 101986000007982 | 申请日： | 1986-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN1005880B | 公开（公告）日： | 1989-11-22 |
| 发明（设计）人： | 利澳波多·D·邱;陈士欧;林义雄 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 吴增勇;肖春京 |
| 地址： | 美国.加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 经过改良的、用于ＭＯＳ集成电路的电阻。在一层隔离两个导电区域的绝缘层里开一个孔。通过等离子增强的化学气相沉积法，如同富硅氮化物的钝化材料便被沉积在该窗口之中，该沉积物与两个导电区都接触、从而在这两区之间形成垂直方向的电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 垂直 方向 电阻 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/101986000007982/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：多功能组装定位夹具
- 下一篇：用于图形处理器的字块移位装置
- 同类专利
- 专利分类
