[其他]半导体器件的制造方法和系统在审
| 申请号： | 101987000004656 | 申请日： | 1987-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN1005881B | 公开（公告）日： | 1989-11-22 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 李先春;肖**昌 |
| 地址： | 日本 *** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文示出了一种改进的半导体器件的制作系统和方法。在此系统中，借助ＥＯＲ系统和ＣＶＤ系统的联合可以避免有害的溅射效应。在用联合系统淀积之前，在反应室内可以在基片上预形成一个子层，在不接触大气的情况再传递到用联合系统进行淀积的另一个反应室，以使得这样形成的结有良好的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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