[发明专利]偏振膜高分辨力掩模板无效
申请号: | 200310100172.8 | 申请日: | 2003-10-15 |
公开(公告)号: | CN1607460A | 公开(公告)日: | 2005-04-20 |
发明(设计)人: | 余国彬;姚汉民;罗先刚;严佩英;胡松;刘业异 | 申请(专利权)人: | 中国科学院光电技术研究所 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14;G03F1/10;G02B27/28;G03F7/20 |
代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人: | 刘秀娟;卢纪 |
地址: | 610209*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 偏振膜高分辨力掩模板,属于对投影光学光刻系统中掩模板结构的进一步优化改进,其特征是根据掩模板上的特征图形,在掩模上相应的区域覆盖一层偏振膜,偏振膜将使不透光区域相邻的透光区域上透过偏振方向相互垂直的线偏振成像光束(或旋向相反的圆偏振成像光束、旋向相反且长轴相互垂直的椭圆偏振成像光束),将产生偏振光的偏振膜和传统掩模板结合为一体结构,使掩模板本身具有输出偏振光的功能,增加掩模图形的基本周期,能降低成像光束的衍射角,减邻近效应,提高光刻分辨力,而投影光刻设备不需作任何改动,用于深亚微米和100纳米级的投影光刻。 | ||
搜索关键词: | 偏振 分辨力 模板 | ||
【主权项】:
1、偏振膜高分辨力掩模板,掩模板上有需要光刻的特征图形,其特征在于:根据掩模上的特征图形,在掩模板上的相应区域上覆盖一层偏振膜。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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