[发明专利]部分空乏SOI金氧半导体元件有效
| 申请号： | 200310100244.9 | 申请日： | 2003-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN1607670A | 公开（公告）日： | 2005-04-20 |
| 发明（设计）人： | 陈孝贤;黄吕祥;唐天浩 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王一斌 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种部分空乏SOI金氧半导体元件，包含有一隔离绝缘于一SOI基板的薄膜主体层中的第一导电型井，该SOI基板包含有该薄膜主体层、一支撑基板以及一介于该薄膜主体层与该支撑基板之间的深埋氧化层；一闸极介电层，设于该第一导电型井的表面上；一多晶硅闸极，设于该闸极介电层上，该多晶硅闸极具有一第一导电型第一闸极区块，其与一延伸自该第一导电型井的延伸井区域重叠，以及一第二导电型第二闸极区块，其穿越过该第一导电型井上方，借此形成介于该第一导电型第一闸极区块与该延伸井区域之间的一穿隧连结组态；及第二导电型汲极与源极区域，分别设于该第二闸极区块的相对两侧的该第一导电型井中。 | ||
| 搜索关键词： | 部分 空乏 soi 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.一种部分空乏SOI金氧半导体(MOS)元件，包含有：一隔离绝缘于一SOI基板的薄膜主体层中的第一导电型井，该SOI基板包含有该薄膜主体层、一支撑基板以及一介于该薄膜主体层与该支撑基板之间的深埋氧化层；一闸极介电层，设于该第一导电型井的表面上；一多晶硅闸极，设于该闸极介电层上，该多晶硅闸极具有一第一导电型第一闸极区块，其与一延伸自该第一导电型井的延伸井区域重叠，以及一第二导电型第二闸极区块，其穿越过该第一导电型井上方，借此形成介于该第一导电型第一闸极区块与该延伸井区域之间的一穿隧连结组态；及第二导电型汲极与源极区域，分别设于该第二闸极区块的相对两侧的该第一导电型井中。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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