[发明专利]薄膜磁头无效
| 申请号： | 200310100337.1 | 申请日： | 2003-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN1549245A | 公开（公告）日： | 2004-11-24 |
| 发明（设计）人： | 大友茂一;福井宏;米川直;丸山洋治;岩仓忠幸 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郝庆芬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了相对于环境温度上升来说热突出较小的薄膜磁头。其中，下部屏蔽层或上部屏蔽层中的至少一方使用热膨胀系数在11.5×10－6/K以下的低热膨胀系数的磁性材料。另外，下部屏蔽层或上部屏蔽层中的至少一方使用具有11.5×10－6/K以下的低热膨胀系数的磁性材料与80％(重量)NiFe合金的叠层膜。这样，可以得到记录后噪声小、热突出降低的薄膜磁头。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 磁头 | ||
【主权项】：
1.薄膜磁头，该薄膜磁头具有再生部和记录部，所述的再生部包括在衬底上形成的下部屏蔽层、再生元件和上部屏蔽层，所述的记录部包括下部磁极、上部磁极和配置在上述下部磁极与上述上部磁极之间的线圈，上述再生部和上述记录部被非磁性材料所分离，其特征在于，上述下部屏蔽层或上述上部屏蔽层的至少一部分使用具有11.5×10-6/K以下的低热膨胀系数的磁性材料。
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