[发明专利]具有深N井区的串接二极管结构及其形成方法无效
| 申请号： | 200310100542.8 | 申请日： | 2003-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN1607679A | 公开（公告）日： | 2005-04-20 |
| 发明（设计）人： | 叶达勋;李朝政;曹太和 | 申请（专利权）人： | 瑞昱半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L23/60;H01L21/328;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王占梅 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种具有深N井区的串接二极管，并将该串接二极管所寄生的晶体管的基极浮接，藉以有效降低泄漏于P型基材的漏电电流。该串接二极管包含：一P型基材；一深N井区，是形成于P型基材上；多个二极管组件，是形成于深N井区上；以及多个导体，藉以串接多个二极管组件。其中每个二极管组件包含：一P型井区，是形成于深N井区上；一P型高掺杂区，是形成于P型井区上；以及一N型高掺杂区，是形成于P型井区上，并与P型高掺杂区相隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 二极管 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种具有深N井区的串接二极管结构，包含：一P型基材；一深N井区，是形成于前述P型基材上；多个二极管组件，是形成于前述深N井区上；以及多个导体，藉以串接前述多个二极管组件；其中前述每个二极管组件包含：一P型井区，是形成于前述深N井区上；一P型高掺杂区，是形成于前述P型井区上；以及一N型高掺杂区，是形成于前述P型井区上，并与前述P型高掺杂区相隔离；其特征是：该P型井区、该深N井区及该P型基材是用以形成具有浮接的基极的一双载子晶体管(BJT)。
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