[发明专利]表面检查的方法和设备无效
| 申请号： | 200310100669.X | 申请日： | 2003-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN1497696A | 公开（公告）日： | 2004-05-19 |
| 发明（设计）人： | 矶崎久;山崎伦敬;吉川浩;高濑壮宏;志田裕;岩阳一郎 | 申请（专利权）人： | 拓普康株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N21/88;G01B11/30 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 蒋世迅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 检查晶片表面的一种方法和一种设备，其中，两种或更多种激光可以切换或混合，使激光以同一入射角入射镀有薄膜的检查对象上，其中，以彼此关联的方式，存储有关检查设备的检查数据和有关检查对象上薄膜的薄膜参数，以便获得预定的检查条件。当进行每种测量时，操作员用检查设备的设置装置，设置待测量晶片的薄膜参数。从而，需要的检查条件自动地在检查设备中设置。操作员在每种测量中设置的薄膜参数，是薄膜的厚度和折射率。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 检查 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种用于检查对象的表面检查方法，其中，两种或更多种激光可以切换或混合，使激光以同一入射角入射镀有薄膜的检查对象上，该方法包括的步骤有：以彼此关联的方式，存储有关检查设备的检查数据和有关检查对象上薄膜的薄膜参数，以便获得预定的检查条件；和在进行测量时，通过操作员向检查设备设置要检查的对象的薄膜参数，在检查设备中自动地设置预定的检查条件。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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