[发明专利]半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 200310100708.6 | 申请日： | 2003-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN1497679A | 公开（公告）日： | 2004-05-19 |
| 发明（设计）人： | 半田崇登;海本博之 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/266;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种可以更精细化的半导体装置的制造方法。具有在硅基板(1)之中露出p型区域(2)的开口部并形成由BPSG膜等构成的硬掩膜(21a)。然后，通过进行采用乙醇气体的各向同性喷溅蚀刻将硬掩膜(21a)的角部变圆，形成具有锥体形状的注入硬掩膜(21)。通过将注入硬掩膜(21)作为掩膜进行N型杂质的倾斜离子注入，形成LDD结构的n-层(13)。然后，除去注入硬掩膜(21)。由此，采用比以往的膜厚更薄的注入掩膜进行倾斜离子注入。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于：具备：在半导体基板的第一元件形成区域的上面形成栅极绝缘膜以及栅电极的工序(a)；在所述工序(a)之后，在所述半导体基板的上面，形成对所述第一元件形成区域开口的硬掩膜的工序(b)；在所述半导体基板内，将所述栅电极以及所述硬掩膜作为离子注入掩膜进行倾斜离子注入杂质的工序(c)；在所述工序(c)之后，除去所述硬掩膜的工序(d)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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