[发明专利]微细构造物的制造方法、光学元件、集成电路和电子仪器有效
| 申请号： | 200310100712.2 | 申请日： | 2003-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN1497663A | 公开（公告）日： | 2004-05-19 |
| 发明（设计）人： | 高木宪一;十河智彦;齐藤祐司 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明为一种微细构造物的制造方法，其特征是：在要形成所需图案的基板(10)的被处理面上设置亲液膜(11)，在亲液膜(11)的上表面上，设置对成为形成所述图案的部件的液体材料具有斥液性的斥液膜(12)，除去斥液膜(12)中位于要形成所述图案的区域上的部分。从而可在使用液体材料形成所需图案时，高速并且良好地形成所需图案。另外，本发明还提供一种采用该微细构造物的制造方法制造的光学元件、集成电路和电子仪器。 | ||
| 搜索关键词： | 微细 构造 制造 方法 光学 元件 集成电路 电子仪器 | ||
【主权项】：
1.一种微细构造物的制造方法，其特征在于：包括：对于形成图案的部件，使用液体材料，在要形成所需形状的图案的所述部件的被处理面上设置第一膜的步骤；在所述第一膜的上表面上设置对所述液体材料具有斥液性的斥液膜的步骤；除去所述斥液膜中与要形成所述图案的区域对应的部分的所述斥液膜的步骤。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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