[发明专利]切割/冲模－结合膜，固定碎片机件和半导体设备的方法有效
| 申请号： | 200310101314.2 | 申请日： | 2003-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN1497703A | 公开（公告）日： | 2004-05-19 |
| 发明（设计）人： | 松村健;水谷昌纪 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;C09J5/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 王玮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种切割/冲模－结合膜，其包括在支撑基底材料(1)上的压敏粘合剂层(2)和在压敏粘合剂层(2)上的冲模－结合粘合剂层(3)，其中压敏粘合剂层(2)和冲模－结合粘合剂层(3)之间界面的剥离性在对应于冲模－结合粘合剂层(3)中机件－附着区(3a)的界面(A)和对应于部分或全部其他区域(3b)的界面(B)之间是不同的，而界面(A)的剥离性高于界面(B)的剥离性。这种切割/冲模－结合膜在切割机件过程中的保持力和将切割的碎片机件连同冲模－结合粘合剂层一起剥离过程中的剥离性之间的平衡方面极优异。 | ||
| 搜索关键词： | 切割 冲模 结合 固定 碎片 机件 半导体设备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种切割/冲模-结合膜，其包含在支撑基底材料(1)上的压敏粘合剂层(2)和在压敏粘合剂层(2)上的冲模-结合粘合剂层(3)，其中压敏粘合剂层(2)和冲模-结合粘合剂层(3)之间界面的剥离性在对应于冲模-结合粘合剂层(3)中机件-附着区(3a)的界面(A)和对应于部分或全部其他区域(3b)的界面(B)之间是不同的，界面(A)的剥离性高于界面(B)的剥离性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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