[发明专利]半导体器件及其制造方法以及等离子加工装置有效
| 申请号： | 200310101385.2 | 申请日： | 2003-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN1497677A | 公开（公告）日： | 2004-05-19 |
| 发明（设计）人： | 宫崎笃;波多野晃继;酒井道 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/3065;H05H1/46;C23C16/513;B01J19/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 罗亚川 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件及其制造方法以及等离子加工装置。在被处理基板(4)上实施等离子处理的等离子加工装置具备在内部装载被处理基板(4)的处理室(5)；在处理室(5)内导入气体的气体导入口(6)；设置在处理室(5)内的等离子放电发生单元(15)，等离子放电发生单元(15)具有第1电极(2a)和比第1电极(2a)更接近被处理基板(4)设置的第2电极(2b)，第1电极(2a)以及第2电极(2b)起到只有从被处理基板(4)的法线方向能够识别的面成为等离子放电面的作用，由此，即使在低的被处理基板温度下，也能够实现高品质膜，能够以高气体离解效率进行成膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 以及 等离子 加工 装置 | ||
【主权项】：
1.一种等离子加工装置，该等离子加工装置在被处理基板上实施等离子处理，特征在于：具备在内部载置了上述被处理基板的处理室；在上述处理室内导入气体的气体导入口；设置在上述处理室内的等离子放电发生单元，上述等离子放电发生单元具有第1电极和比上述第1电极更接近上述被处理基板设置的第2电极，上述第1电极以及上述第2电极起到只有从上述被处理基板的法线方向能够识别的面作为等离子放电面的作用。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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