[发明专利]半导体存储装置以及装载它的电子装置

摘要

本发明涉及半导体存储装置以及装载它的电子装置，谋求降低写入电压、增加强电介质电容器的能重写次数，以及充分长时间地确保数据保持的寿命的2个优点的并存。强电介质电容器使2个剩余极化的偏移(点b和点c)与数据“1”对应，使1个剩余极化的偏移(点a)与数据“0”对应。做到在写入数据“1”的场合，在强电介质电容器中外加电压的大小或脉冲宽度不同的2个电脉冲中的任何1个，强电介质电容器的剩余极化的偏移变成点b或c的任何1个。另一方面，做到在写入数据“0”的场合，强电介质电容器的剩余极化的偏移变成点a。

主权项

1.一种半导体存储装置，其特征在于，它具备：存储多个逻辑值中的任何1个，在对于多个逻辑值中的至少1个逻辑值，有不同的多个剩余极化的偏移对应的同时，对于多个逻辑值中至少1个逻辑值以外的其它逻辑值也有与多个剩余极化的偏移的任何偏移不同的其它剩余极化的偏移对应的强电介质电容器；对于强电介质电容器外加将该强电介质电容器变成多个剩余极化的偏移和其它剩余极化的偏移中任何一个偏移的写入电脉冲，并将多个逻辑值中的任何一个逻辑值写入到强电介质电容器的数据写入设备；以及对于强电介质电容器外加读出电脉冲，检测外加该读出电脉冲时的强电介质电容器的剩余极化的偏移，并读出被存储在强电介质电容器中的逻辑值的数据读出设备。