[发明专利]蚀刻侧壁的方法及形成半导体结构的方法

摘要

本发明提供一种蚀刻侧壁的方法及形成半导体结构的方法，其中，蚀刻侧壁的方法首先提供一具有沟槽的基底，且沟槽的开口、侧壁及底部具有填充物质。接着，藉由防止蚀刻剂与沟槽底部填充物质之间的反应，将沟槽的开口及侧壁上的填充物质去除，以留下沟槽底部的填充物质。防止蚀刻剂与沟槽底部填充物质间的反应的方法，主要是利用在沟槽底部的填充物质形成气泡的方法来进行；其中，气泡是藉由将基底反转后浸泡在蚀刻剂中的方法来形成。本发明的方法可去除造成沟槽开口封闭的物质，但不会移除沟槽底部的物质，并让沟槽被完全填满。

主权项

1.一种蚀刻侧壁的方法，其特征在于包括下列步骤：提供一半导体基底，该半导体基底具有一沟槽，且该半导体基底上形成有一填充层，该填充层至少部分填入该沟槽内；反转该半导体基底；及将反转的该半导体基底浸泡入一蚀刻剂，去除位于该沟槽的开口及侧壁上的该填充层。