[发明专利]高温超导层的制备方法有效
申请号: | 200310101500.6 | 申请日: | 2003-10-21 |
公开(公告)号: | CN1497614A | 公开(公告)日: | 2004-05-19 |
发明(设计)人: | 凯·努姆森;赫尔穆特·金德 | 申请(专利权)人: | 特瓦薄膜技术有限公司 |
主分类号: | H01B12/06 | 分类号: | H01B12/06;H01B13/00;H01L39/24 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 程金山 |
地址: | 德国伊*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及一种在基材(1a,1b)上制备高温超导层的方法,该方法包括以下步骤:以低生长速率沉积RBa2Cu3O7-层(2),其中R表示钇,一种稀上族(原子序号57-71)元素或这些元素的两种或多种的混合物,和以高生长速率向RBa2Cu3O7-层(2)上沉积XBa2Cu3O7-层(3),其中X表示钇,一种稀土族(原子序号57-71)元素或这些元素的两种或多种的混合物。优选地,低生长速率为<1nm/s并且高生长速率为>1nm/s,优选为>2nm/s,并且优选向至少双轴织构的基材(1a)或具有至少双轴织构的缓冲层(1b)的基材上沉积RBa2Cu3O7-层(2)。 | ||
搜索关键词: | 高温 超导 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.在基材(1a,1b)上制备高温超导层的方法,该方法包括以下步骤:a.以低生长速率向基材(1a,1b)上沉积RBa2Cu3O7-层(2),其中R表示钇,一种稀土族(原子序号57-71)元素或这些元素的两种或多种的混合物;b.以高生长速率向RBa2Cu3O7-层(2)上沉积XBa2Cu3O7-层(3),其中X表示钇,一种稀土族(原子序号57-71)元素或这些元素的两种或多种的混合物。
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