[发明专利]等离子处理装置无效
| 申请号： | 200310101512.9 | 申请日： | 2003-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN1497665A | 公开（公告）日： | 2004-05-19 |
| 发明（设计）人： | 後藤真志;中田行彦;東和文;岡本哲也 | 申请（专利权）人： | 株式会社液晶先端技术开发中心 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 | 代理人： | 徐申民 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种等离子处理装置，是一种不需要具有特定形状的专用容器，就能使等离子体生成容器内的等离子体密度得以均匀化的等离子处理装置，其中包含：至少具有一个开口，并且可以生成等离子体的容器(12)；以将前述开口予以气密覆盖的方式设置的电介质构件(14)；在前述容器外部以一端侧与前述电介质构件以相对向的方式设置至少一个波导管(16)；设置在波导管的另一端侧的电磁波源(20)；设置在前述波导管的与电介质构件相对向面的多个孔穴(38、40、42、44、46)；以及在前述孔穴的至少一个孔穴上设置用来调整该孔穴的开口面积的孔穴面积调整机构(18)。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种等离子处理装置，其特征在于，包含：至少具有一个开口并生成等离子体的容器；以将所述开口予以气密覆盖的方式设置的电介质构件；以一端侧与所述电介质构件相对向的方式设置在所述容器外部的至少一个波导管；设置在所述波导管的另一端侧的电磁波源；设置在所述波导管的与所述电介质构件相对向面的多个孔穴；以及在所述孔穴的至少一个孔穴上设置的用来调整所述孔穴的开口面积的孔穴面积调整机构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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