[发明专利]半导体存储装置无效
| 申请号： | 200310101564.6 | 申请日： | 2003-10-07 |
| 公开（公告）号： | CN1519858A | 公开（公告）日： | 2004-08-11 |
| 发明（设计）人： | 中岛泰;井筒隆;石垣佳之 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | G11C11/40 | 分类号： | G11C11/40;G11C11/412 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体存储装置设有：分别包括第一、第二驱动nMOS晶体管(3、4)和第一、第二TFT(7、8)的一对倒相器，包括第一、第二存取nMOS晶体管(1、2)的存储单元，与第一、第二存取nMOS晶体管(1、2)的漏极和第一、第二驱动nMOS晶体管(3、4)的漏极以及第一、第二TFT(7、8)的漏极电连接的第一、第二电容元件(5、6)。另外，第一、第二驱动nMOS晶体管(3、4)的栅极宽度至多为第一、第二存取nMOS晶体管的栅极宽度的1.2倍。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种由多个存储单元阵列状配置而成的半导体存储装置，所述存储单元包含，设有由驱动MOS晶体管和负载元件构成的一对倒相器的触发电路，分别与所述倒相器的输入节点连接的一对存取MOS晶体管，覆盖所述存取MOS晶体管和所述驱动MOS晶体管的层间绝缘膜，以及在所述层间绝缘膜上分别与所述倒相器的输入节点连接的一对电容元件；其中设有：与所述一对存取MOS晶体管两方的栅电极连接的、在与所述驱动MOS晶体管的栅电极相同的方向上延伸的、配置在一对所述驱动MOS晶体管的栅电极之间的字线；将所述存取MOS晶体管和所述驱动MOS晶体管的活性区域一体化构成的、在与所述字线垂直的方向上延伸的一对活性区图案；以及在与所述字线垂直的方向上延伸的、与所述各存取MOS晶体管的活性区域连接的一对位线；所述字线延伸方向的存储单元区的长度，大于所述位线延伸方向的存储单元区的长度。
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