[发明专利]磁扰降低的半导体存储装置无效
| 申请号： | 200310101565.0 | 申请日： | 2003-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN1519857A | 公开（公告）日： | 2004-08-11 |
| 发明（设计）人： | 日高秀人 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;G11C7/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;梁永 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 当数据写入时，沿对选择位线的数据写入电流的反方向，使抵消该数据写入电流的感应磁场的抵消电流，在相邻选择位线的位线上流过。从而，在这种磁性半导体存储装置中抑制相邻列的存储单元之间的磁场干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，其中设有：矩阵状排列的多个存储单元，对应于各存储单元列配置的、各自连接对应列的存储单元的多条位线，以及对应于各所述位线配置的、各自按照写入数据将电流供给对应的位线的多个位线驱动电路；各所述位线驱动电路含有，在选择相邻列时，按照对所述相邻列的写入数据向对应的位线供给第一电流的第一驱动电路，以及在选择对应列时，按照对所述对应列的写入数据向对应的位线供给第二电流的第二驱动电路。
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