[发明专利]薄膜半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200310101575.4 | 申请日： | 1995-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN1495857A | 公开（公告）日： | 2004-05-12 |
| 发明（设计）人： | 宫坂光敏 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;G02F1/136 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种薄膜半导体器件的制造方法，该半导体器件在基板的一部分上形成衬底保护膜，进而使用等离子体增强的化学汽相淀积装置在该衬底保护膜上形成半导体膜，所述衬底保护膜包含一种绝缘材料，将所述半导体膜作为晶体管的有源层，该方法的特征在于，包括工序：将所述衬底保护膜暴露到氧等离子体或氢等离子体中；然后，在不破坏等离子体增强的化学汽相淀积装置真空的条件下在所述衬底保护膜的顶部形成所述半导体膜。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜半导体器件的制造方法，该半导体器件在基板的一部分上形成衬底保护膜，进而使用等离子体增强的化学汽相淀积装置在该衬底保护膜上形成半导体膜，所述衬底保护膜包含一种绝缘材料，将所述半导体膜作为晶体管的有源层，该方法的特征在于，包括以下工序：将所述衬底保护膜暴露到氧等离子体或氢等离子体中；然后在不破坏等离子体增强的化学汽相淀积装置真空的条件下在所述衬底保护膜的顶部形成所述半导体膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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