[发明专利]具有高对称性和线性度的下变频器

摘要

本发明属于接收机射频前端技术领域，涉及具有高对称性和线性度的下变频器。它由单端输入级、差分输出级及连接在其中的混频单元组成的双平衡下变频器结构；所说的差分输出级采用普通的开漏极输出结构，所说的单端输入级采用在片偏置的甲乙类单端输入结构，本发明通过引入在片偏置环路，极大地改善了该混频器的对称性和线性度。同时在片实现了输入阻抗匹配，并采用了开漏极输出。且在低电源电压和低电流消耗的条件下，达到了高转换增益、高线性度和低噪声系数等设计目标。

主权项

1、一种具有高对称性和线性度的下变频器，其特征在于，它由单端输入级、差分输出级及连接在其中的混频单元组成的双平衡下变频器结构；所说的差分输出级采用普通的开漏极输出结构，所说的单端输入级采用在片偏置的甲乙类单端输入结构，包括NMOS管MN1和NMOS管MN2的漏端和栅端接在一起，组成在片偏置环路结构，晶体管M1、晶体管M2和晶体管M3组成输入级的两个支路，其连接关系为：NMOS管MN1的漏端和栅端接输入的偏置电流I0，同时接晶体管M2的栅极；源级接NMOS管MN2的漏端和栅端，同时接晶体管M2。NMOS管MN2的源端接地；晶体管M2的源级接M1的漏级和M3的栅极和输入射频信号端Iin，漏级接I1+IX；M1的源级接地；M3的漏级I2+IY，其源级接地。