[发明专利]用于例如集成电路的薄层的制造方法无效
| 申请号： | 200310101738.9 | 申请日： | 2003-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN1497706A | 公开（公告）日： | 2004-05-19 |
| 发明（设计）人： | U·韦尔豪森;R·布鲁赫豪斯;N·纳格尔;S·格恩哈特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 通过3个步骤方法形成用于比如铁电容器等结构的层，这些步骤包括：(i)在一部分或整个结构21上涂布润湿层23；(ii)在润湿层23上涂布第二种材料形成的第二层25；以及(iii)通过化学反应将第二种材料进行转化。在一个实施例中，此第二种材料是Al，而步骤(iii)包括将Al层25氧化，形成Al2O3层27。优选用即使在基片的高宽高比区也具有良好阶梯覆盖性的方法涂布此润湿层21，即使该方法的沉积速度可能比较低。优选由第二种材料在其上面具有高迁移率的材料形成润湿层21，这样使得铝层和随后的Al2O3层具有比较均匀的厚度。在步骤(iii)之前可以有一个提高第二种材料的侧向迁移率的步骤，比如通过热处理。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 例如 集成电路 薄层 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.在至少一部分结构上形成一个层的方法，该方法依次包括如下步骤：(i)在至少一部分结构上形成第一种材料形成的底层；(ii)在所述底层上形成第二种材料形成的第二层，以及(iii)通过化学反应将第一和/或第二种材料进行改性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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