[发明专利]等离子体处理方法有效
| 申请号： | 200310101936.5 | 申请日： | 2003-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN1497682A | 公开（公告）日： | 2004-05-19 |
| 发明（设计）人： | 山口智代 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种蚀刻速率、相对于SiO2的选择比及相对于有机物的选择比均高的SiC的等离子体蚀刻方法。对含有CHF3的蚀刻气体、含有CHF3和N2的气体、例如CHF3、N2和Ar的混合气体、或包含具有C、H与F的物质和具有N的物质、而不包含具有O的物质的蚀刻气体进行等离子体化，对SiC进行蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理方法，其特征在于：包括：在处理容器内配置具有SiC层和SiO2层的被处理体的工序；对导入所述处理容器内的含有CHF3的蚀刻气体进行等离子体化、相对于所述SiO2层有选择性地对所述SiC层进行蚀刻的工序。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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