[发明专利]具有熔丝的半导体器件有效
| 申请号： | 200310102360.4 | 申请日： | 2003-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN1499627A | 公开（公告）日： | 2004-05-26 |
| 发明（设计）人： | 南条亮太;大塚敏志;泽田丰治;助川和雄 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京东方亿思专利代理有限责任公司 | 代理人： | 杜娟;董方源 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件，具有：具有主表面的半导体衬底；在所述主表面上方形成的熔丝电路，所述熔丝电路具有熔丝元件，每个所述熔丝元件具有预定断裂点；第一槽隔离区，其在所述半导体衬底的表面层上在所述熔丝电路的下方形成；以及多个伪有源区，其穿过所述第一槽隔离区在除了围绕所述预定断裂点的预定区域以外的区域形成。虽然在熔丝电路中还形成伪结构，但是本发明防止了断裂余量被降低，并且避免了衬底毁坏，同时保证了表面平坦度和线宽的可控制性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：具有主表面的半导体衬底；在所述主表面上方形成的熔丝电路，所述熔丝电路具有熔丝元件，所述的每个熔丝元件具有预定断裂点；第一槽隔离区，其在所述半导体衬底的表面层中在所述熔丝电路下方形成；以及多个伪有源区，其穿透所述第一槽隔离区形成在除了围绕所述预定断裂点的预定区域之外的区域中。
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