[发明专利]磁阻效应磁头及其制造方法无效
| 申请号： | 200310102384.X | 申请日： | 2003-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN1534603A | 公开（公告）日： | 2004-10-06 |
| 发明（设计）人： | 淡河纪宏;小岛修一;冈崎幸司;重松惠嗣;田岛康成 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39;H01F41/14 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 熊志诚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及磁阻效应磁头及其制造方法。在现有的磁阻效应磁头中，若不将磁畴控制所必须的偏置磁场控制得较大，就不能进行适当的磁畴控制。通过在磁阻效应多层膜的下部形成磁畴控制底层，使磁畴控制膜与自由层的两侧端接触，可使除磁畴控制膜外所多余的偏置磁场以最小化的状态实现适当的磁畴控制。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 效应 磁头 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻效应磁头，其特征在于，具有：形成于基片上的下部磁屏蔽层，在上述下部磁屏蔽层上形成的磁畴控制底层、具有形成在上述磁畴控制底层上的底层、自由层、非磁性层、固定层及固定上述固定层的磁化方向的反强磁性层的多层膜，形成于上述磁畴控制底层上、与上述自由层的磁道宽度方向两端部接触、而且对上述自由层进行磁畴控制的磁畴控制膜，供给上述多层膜以电流的一对电极膜和形成于上述多层膜及上述电极膜上的上部磁屏蔽层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立制作所，未经株式会社日立制作所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200310102384.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：喷墨打印机
- 下一篇：交联的烯烃弹性体泡沫料和制造该泡沫体的弹性体组合物
