[发明专利]互补金属氧化物半导体图像传感器件的结构及其制造方法

摘要

本发明公开一种CMOS图像传感器件的结构及其制造方法，该传感器件包括：一形成在衬底中的光电二极管；至少一条与光电二极管电连接的导电互连线；一具有光线入口的光线通路，设置成与光电二极管对正；一彩色滤光片，设置在光线通路的光线入口的上方；以及一透镜，设置在彩色滤光片的上方，并与光线通路对正，其中，所述至少一条导电互连线包括一铜互连线结构，导电互连线具有叠层构造的多个层间介质层，并在相邻的层间介质层之间设置有一扩散阻挡层，以及在铜互连结构与所述多个层间介质层之间设置一阻挡金属层，铜互连线结构穿插扩散阻挡层。如果将光电二极管上方的阻挡金属层去除，则图像传感器件可采用铜互连线。

主权项

1、一种图像传感器件，其包括：一衬底，该衬底中形成有一光电二极管，并在该衬底上形成有多个晶体管，且该光电二极管与该晶体管存在电连接；至少一个下接触点，其被形成在该晶体管的源极/漏极区以及栅极上；至少一条导电互连线，其被形成在所述至少一个下接触点上，并与该光电二极管存在电连接；一具有光线入口的光线通路，该光线通路被设置成与该光电二极管对正；一彩色滤光片，其被设置在该光线通路的光线入口的上方；以及一透镜，其被设置在该彩色滤光片的上方，并与该光线通路对正，其中，所述至少一条导电互连线包括一铜互连线结构，该铜互连线结构延伸穿过呈现叠层构造的多个层间介质层，在相邻的层间介质层之间设置有一扩散阻挡层，且在该铜互连线结构与多个层间介质层之间设置一阻挡金属层，并且该铜互连线结构穿插该扩散阻挡层。