[发明专利]半导体集成电路及其制造方法有效
| 申请号： | 200310102416.6 | 申请日： | 2003-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN1497723A | 公开（公告）日： | 2004-05-19 |
| 发明（设计）人： | 藤野健哉;木村文浩 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰;叶恺东 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题是，实现防止形成接触的层及绝缘膜剥落，防止LSI遭到破坏。为此，具备在纵向和横向排列敷设多个接触的接触阵列。该接触阵列中的纵向和横向双方的接触敷设间隔比由制造工艺决定的接触敷设间隔宽。由此，可将在接触阵列中所形成的接触的个数减少至由工艺决定的每单位面积上可敷设的个数或比其少的个数，从而可实现防止形成接触的层及绝缘膜剥落，防止LSI遭到破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路，它具备在纵向和横向排列敷设多个接触的接触阵列，其特征在于：上述接触阵列中的纵向和横向的某一方的接触敷设间隔比由制造工艺决定的接触敷设间隔宽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
