[发明专利]半导体集成电路装置有效
| 申请号： | 200310102465.X | 申请日： | 2003-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN1497725A | 公开（公告）日： | 2004-05-19 |
| 发明（设计）人： | 炭田昌哉;崎山史朗;木下雅善 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 马莹;邵亚丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体集成电路装置，可控制MOSFET的衬底电压，以使MOSFET的亚阈值区域或饱和区域的某任意栅极电压值的漏极电流消除温度依存性、工艺偏差依存性，谋求动作稳定性的提高。其包括：集成电路主体(16A)；监视装置(15A)；衬底电压调节装置(14A)，其中，监视器装置(15A)包括：恒流源(12A)；和所述多个MOSFET在同一衬底上形成的监视用MOSFET(11A)，衬底电压调节装置(14A)包括：在接地电位上连接监视用MOSFET(11A)的漏极端子和集成电路主体(16A)的多个MOSFET的漏极端子的状态下将监视用MOSFET(11A)的源极电位和预先决定的基准电位比较的比较装置(13A)，将基于采用比较装置(13A)的比较结果输出的输出电压反馈到监视用MOSFET(11A)的衬底电压中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 装置 | ||
【主权项】：
1、一种半导体集成电路装置，其特征在于，包括：集成电路主体，其在半导体衬底上具有多个MOSFET；监视装置，其监视所述多个MOSFET中的至少一个漏电流；衬底电压调节装置，其控制所述半导体衬底的衬底电压，以使所述漏电流恒定。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
