[发明专利]埋入式配线结构的制造方法

摘要

在绝缘膜上形成第1凹部，与该第1凹部重叠地形成第2凹部时，可形成高精度的第2凹部。在绝缘膜上形成第1凹部，在该第1凹部和绝缘膜上涂布填埋材料将第1凹部填埋，对填埋材料进行化学机械研磨使之仅存留于第1凹部内，在填埋了填埋材料的绝缘膜上形成具有与第1凹部重合的第2部的图案的抗蚀剂层，以该抗蚀剂层为掩膜将填埋材料和绝缘膜腐蚀至既定深度而形成第2凹部。

主权项

1.一种埋入式配线结构的制造方法，其特征是具有，在绝缘膜上形成第1凹部的工序，在该第1凹部和所说绝缘膜上涂布填埋材料将所说第1凹部填埋的工序，对所说填埋材料进行化学机械研磨使之仅存留在所说第1凹部内的工序，在填埋了所说填埋材料的所说绝缘膜上形成具有与所说第1凹部重合的第2凹部的图案的抗蚀剂层的工序，以该抗蚀剂层为掩膜将所说填埋材料和所说绝缘膜腐蚀至既定深度而形成第2凹部的工序，将经过上述腐蚀后残留的所说抗蚀剂层和所说填埋材料除去的工序，以及，向所说第1凹部和所说第2凹部中堆积导电体材料的工序。