[发明专利]具有用沟槽结构分隔的微透镜阵列的图象传感器及制造方法无效
| 申请号： | 200310102574.1 | 申请日： | 2003-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN1574381A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 山本克已 | 申请（专利权）人： | 华微半导体（上海）有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N5/335;G02B1/04;G02B3/00;G02B5/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 200031中国上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种具有微透镜的图象传感器。该图象传感器包括多个形成于半导体衬底内的象素，每个象素都含有光敏感元件。在每个光敏感元件的上面形成了微透镜。最后，沟槽结构包围每个微透镜。 | ||
| 搜索关键词： | 有用 沟槽 结构 分隔 透镜 阵列 图象 传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种图象传感器包括：多个象素，其形成于半导体衬底内，每一个象素都包含光敏感元件；在每个所述光敏感元件上面的微透镜；和沟槽结构，其包围每一个微透镜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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