[发明专利]半导体器件的电容器底电极及其制造方法

摘要

为了形成半导体器件电容器的底电极，在衬底上形成具有第一接触孔的第一绝缘层图形，在接触孔中形成用于底电极的接触栓塞。在第一绝缘层图形和接触栓塞上形成第二绝缘层。第二绝缘层具有第二刻蚀速率，第二刻蚀速率高于第一绝缘层图形的第一刻蚀速率。刻蚀第二绝缘层以形成具有第二接触孔的第二绝缘层图形，第二接触孔露出接触栓塞。在第二接触孔的侧壁上和底部正面上形成导电薄膜。根据第一刻蚀速率和第二刻蚀速率之间的差值，减小邻近接触栓塞的第一绝缘层图形的刻蚀。

主权项

1.一种形成半导体器件的电容器底电极的方法，包括：形成具有第一刻蚀速率和第一接触孔的第一绝缘层图形；在接触孔中形成接触栓塞；在第一绝缘层图形和接触栓塞上形成具有第二刻蚀速率的第二绝缘层，其中第二刻蚀速率大于第一刻蚀速率；形成具有第二接触孔的第二绝缘层图形，通过刻蚀第二绝缘层露出接触栓塞，其中根据第二刻蚀速率和第一刻蚀速率之间的刻蚀速率差值减小邻近接触栓塞的部分第一图形的刻蚀量；在第二接触孔的侧壁和底部正面连续地形成导电薄膜，其中导电薄膜成为底电极；以及除去第二绝缘层图形。