[发明专利]三维结构存储器有效
| 申请号： | 200310102636.9 | 申请日： | 1998-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN1525485A | 公开（公告）日： | 2004-09-01 |
| 发明（设计）人： | 格伦·J·利迪 | 申请（专利权）人： | 格伦·J·利迪 |
| 主分类号： | G11C11/00 | 分类号： | G11C11/00;G11C11/34;G11C5/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种三维结构(3DS)存储器(100)使得能够将存储器电路(103)和控制逻辑(101)物理上分离到不同的层(103)上，致使可以分别地优化各个层。几个存储器电路(103)有一个控制逻辑(101)就够了，从而降低了成本。3DS存储器(100)的制造涉及到将存储器电路(103)减薄到厚度小于50微米以及将电路键合到电路叠层，同时仍然呈晶片衬底形式。采用了细粒高密度层间垂直总线互连(105)。3DS存储器(100)制造方法使得能够实现几种性能和物理尺寸效能，并且是用现有的半导体工艺技术实现的。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 结构 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种叠层集成电路存储器，它包含：其上制作有存储器电路和存储器控制器电路中的一个的基本上坚固的第一衬底；至少一个其上制作有所述存储器电路和所述存储器控制器电路中的另一个并键合到第一衬底的基本上柔软的衬底；以及将第一衬底和基本上柔软的衬底键合在一起的粘合剂，所述粘合剂具有与较高温度的半导体工艺相容的承受温度。
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