[发明专利]模拟装置

摘要

本发明的课题是提供能进行在CMP工艺中考虑了各种参数的模拟的模拟装置。在占有率二维分布计算部111中取得占有率的二维分布像DP，在网格调整部112中进行实测数据D2的网格的调整。在高度分布计算部113中根据占有率的二维分布像DP进行高度分布的计算，在相关系数计算部118中对实测数据D21与高度分布数据DP1进行最小二乘方分析以计算相关系数。占有率的二维分布像DP经过傅里叶计算部114、空间滤波部115、反傅里叶计算部116而成为占有率的二维分布像DPX，进而经过高度分布计算部113得到高度分布数据DP2。然后，在相关系数计算部118中对高度分布数据DP2与CMP工艺后的实测数据D22进行最小二乘方分析以计算相关系数。

主权项

1.一种半导体衬底的平坦化用的化学机械研磨工艺的模拟装置，其特征在于：该装置接受包含关于半导体器件的图案形成工序中的加工图案的每单位区域的面积占有率的信息的占有率数据和在与上述图案形成工序对应地进行的化学机械研磨工艺的前后分别测定的关于上述半导体衬底上的凹凸的高度分布的第1和第2实测数据，比较根据上述占有率数据计算的关于上述化学机械研磨工艺前的上述半导体衬底上的凹凸的二维分布的第1计算数据与上述第1实测数据，利用最小二乘方分析求出第1相关系数，进行参数拟合，使得上述第1相关系数的二乘方为最大，比较根据上述占有率数据算出的关于上述化学机械研磨工艺后的上述半导体衬底上的凹凸的二维分布的第2计算数据与上述第2实测数据，利用最小二乘方分析求出第2相关系数，进行参数拟合，使得上述第2相关系数的二乘方为最大。