[发明专利]CMOS图像传感器有效
申请号: | 200310102828.X | 申请日: | 2003-10-13 |
公开(公告)号: | CN1497733A | 公开(公告)日: | 2004-05-19 |
发明(设计)人: | 关根弘一 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 包于俊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 通过有效地配置构成单元的元件和配线等提供使高集成化、析像度提高的CMOS图像传感器。将多个用共同的晶体管部分从2个即第1及第2光电二极管读出信号的单元配置于垂直方向、水平方向上成为矩阵的CMOS图像传感器中,在垂直方向上分开配置第1及第2光电二极管。晶体管部分具有一对读出用、复位用、放大用以及选择用晶体管,一对读出用与复位用的各晶体管与做成大致为方形的浮动扩散区域相邻地设置。控制各晶体管的栅极的4条栅极线延伸于矩阵的水平方向,每2条作双层配线。 | ||
搜索关键词: | cmos 图像传感器 | ||
【主权项】:
1.一种CMOS图像传感器,将由光电二极管与多个MOS晶体管构成的多个单元成矩阵形状地配置在半导体基板上而成,所述单元由下述各部分构成:形成于半导体基板上上的第1与第2光电二极管;连接于所述第1光电二极管并读出其信号电荷的第1读出晶体管;连接于所述第2光电二极管并读出其信号电荷的第2读出晶体管;连接于所述第1和第2读出晶体管并传送信号电荷的浮动扩散区域;连接于所述浮动扩散区域并复位该区域的电位的复位晶体管;其栅极连接于所述浮动扩散区域并放大信号电荷的放大晶体管;有选择地寻址所述放大晶体管的选择晶体管;所述单元各自连接于分别延伸在上述矩阵配置的水平方向上的4条栅极线即所述第1及第2读出晶体管的读出线、所述复位晶体管的复位线以及所述选择晶体管的选择线,所述单元连接于分别延伸在上述矩阵配置的垂直方向上并连接所述复位晶体管及选择晶体管的电源线及连接所述放大晶体管的信号线,所述地址线每2线以双层层叠延伸,所述第1及第2光电二极管夹着所述第1及第2读出晶体管的读出线互相分开地配置,所述浮动扩散区域大致做成方形,所述第1及第2读出晶体管及所述复位晶体管在半导体基板内连接于所述浮动扩散区域的各边上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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