[发明专利]半导体激光装置无效

专利信息
申请号: 200310102877.3 申请日: 2003-10-22
公开(公告)号: CN1497558A 公开(公告)日: 2004-05-19
发明(设计)人: 井上哲修 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: G11B7/12 分类号: G11B7/12;H01S5/02
代理公司: 上海专利商标事务所 代理人: 包于俊
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供可靠性高的半导体激光装置。本发明的半导体激光装置1在绝缘性壳体2的内部具有沿平面方向出射激光的半导体激光元件3、将激光向上方反射的反射镜4及对入射的激光进行信号检测用的信号检测用受光元件5。在绝缘性壳体2的长度方向相对的端壁2a及2b固定沿水平方向延伸的多个引脚8。绝缘性壳体2由液晶聚合物构成。
搜索关键词: 半导体 激光 装置
【主权项】:
1.一种半导体激光装置,其特征在于,包括绝缘性壳体,设置在该绝缘性壳体内部的沿平面方向出射激光的半导体激光元件,设置在所述绝缘性壳体内部的将所述激光向上方反射的反射镜,设置在所述绝缘性壳体内部的对入射的所述激光进行信号检测用的信号检测用受光元件,以及利用在所述绝缘性壳体的长度方向相对的端壁固定的沿水平方向延伸的多个引脚,所述绝缘性壳体由液晶聚合物构成。
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