[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200310103004.4 | 申请日： | 2003-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN1499612A | 公开（公告）日： | 2004-05-26 |
| 发明（设计）人： | 中岛一明 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/28;H01L21/336;H01L27/092;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 陈海红;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供可以使栅电极的功函数优化，而且可以防止特性或可靠性的降低的半导体器件的制造方法。具备n型MIS晶体管和p型MIS晶体管的半导体器件的制造方法，其特征在于具备：在要形成n型MIS晶体管的第1区域上形成第1栅绝缘膜110的工序；在既是第1区域又是第1栅绝缘膜上，淀积含有从硅、钨和钼中选出的金属元素，和从磷和砷中选出的杂质元素的第1导电膜111的工序；在要形成p型MIS晶体管的第2区域上形成第2栅绝缘膜110的工序；在既是第2区域又是第2栅绝缘膜上，形成具有比第1导电膜还高的功函数的第2导电膜113的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，是具备n型MIS晶体管和p型MIS晶体管的半导体器件的制造方法，其特征在于具备：在形成n型MIS晶体管的第1区域上形成第1栅绝缘膜的工序；在是上述第1区域的上述第1栅绝缘膜上，淀积含有从硅、钨和钼中选择的金属元素，和从磷及砷中选择的杂质元素的第1导电膜的工序；在形成p型MIS晶体管的第2区域上形成第2栅绝缘膜的工序；和在是上述第2区域的上述第2栅绝缘膜上，形成具有比上述第1导电膜还高的功函数的第2导电膜的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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