[发明专利]浅沟渠隔离结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200310103113.6 | 申请日： | 2003-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN1612315A | 公开（公告）日： | 2005-05-04 |
| 发明（设计）人： | 龚祐仪;林建廷;曾荣宗;游世仲 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 沙捷;彭益群 |
| 地址： | 台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种浅沟渠隔离结构以及其制造方法，此方法是先提供一基底，之后于基底上形成图案化的掩模层，再利用此掩模层为蚀刻掩模，图案化此基底而形成一沟渠。接着，进行氮化处理步骤以在沟渠表面形成氮化硅衬层，再于沟渠内填入绝缘层。由于所形成的浅沟渠隔离结构具有较薄的氮化硅衬层，所以不但可以解决习知残存应力的问题，而且对浅沟渠的深宽比的影响也很小。 | ||
| 搜索关键词： | 沟渠 隔离 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成浅沟渠隔离结构的方法，包括：提供一基底；于该基底上形成图案化的一掩模层；利用该掩模层为蚀刻掩模图案化该基底，以在该基底中形成一沟渠；进行一氮化处理步骤，以在该沟渠表面形成一氮化硅衬层；以及于该沟渠内填入一绝缘层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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