[发明专利]填充间隙的方法与浅沟渠隔离结构的制造方法

摘要

本发明是关于一种填充间隙的方法与浅沟渠隔离结构的制造方法，该填充间隙的方法，是先提供一基底，且该基底上已形成有数个凸部，而且各个凸部之间是具有间隙。接着，在基底上形成第一介电层，以填入这些凸部之间的间隙，并覆盖这些凸部，其中所形成的第一介电层中具有数个缝隙，且这些缝隙的位置是高于凸部的顶部。然后，进行化学机械研磨法，移除部分第一介电层，以使缝隙打开，而形成数个开口。之后，进行非等向性蚀刻制程，以扩大这些开口的宽度。继之，在第一介电层上形成第二介电层，以填满开口。本发明可以避免现有习知方法在凸部间的间隙填入介电材料时，会在介电材料层中产生缝隙的问题。从而更加适于实用，且具有产业上的利用价值。

主权项

1、一种填充间隙的方法，其特征在于其包括以下步骤：提供一基底，且该基底上已形成有复数个凸部，而且各该些凸部之间具有一间隙；在该基底上形成一第一介电层，以填入该些凸部之间的该间隙，并覆盖该些凸部，其中所形成的该第一介电层中具有复数个缝隙，且该些缝隙的位置是高于该些凸部的顶部；进行一化学机械研磨法，移除部分该第一介电层，以使该些缝隙打开，而形成复数个开口；进行一非等向性蚀刻制程，以扩大该些开口的宽度；以及在该第一介电层上形成一第二介电层，以填满该些开口。