[发明专利]半导体的清洗方法有效
| 申请号： | 200310103449.2 | 申请日： | 2003-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN1614748A | 公开（公告）日： | 2005-05-11 |
| 发明（设计）人： | 黄致远;陈政顺;杨令武 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体的清洗方法，此清洗方法系适用于闪存的闸间介电层形成之后，此方法包括先提供一半导体晶圆。然后，于半导体晶圆上形成第一氧化硅层。接着，于第一氧化硅层上形成浮置闸极层。之后，于浮置闸极层上形成第二氧化硅层。继之，蚀刻第一氧化硅层、浮置闸极层与第二氧化硅层，以形成闸极结构，其中此第二氧化硅层系作为闸间介电层之用。然后，使用含有臭氧之去离子水清洗包含有闸极结构之半导体晶圆。接着，更包括使用第一清洗液清洗已经过含有臭氧之去离子水清洗之晶圆。之后，使用第二清洗液清洗已经过第一清洗液清洗的半导体晶圆。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 清洗 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体的清洗方法，该清洗方法系适用于一闪存之一闸间介电层形成之后，该清洗方法包括：提供一半导体晶圆；于该半导体晶圆上形成一第一氧化硅层；于该第一氧化硅层上形成一浮置闸极层；于该浮置闸极层上形成一第二氧化硅层；蚀刻该第一氧化硅层、该浮置闸极层与该第二氧化硅层，以形成一闸极结构，其中该第二氧化硅层系作为该闸间介电层之用；使用一含有臭氧(Ozonated)之去离子水(De-Ionized，DI)清洗包含有该闸极结构之该半导体晶圆；更包括使用一第一清洗液清洗已经过该含有臭氧的去离子水清洗的该半导体晶圆；以及使用一第二清洗液清洗已经过该第一清洗液清洗的该半导体晶圆。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
