[发明专利]多腔体分离磊晶层有机金属化学气相磊晶装置及方法无效
申请号: | 200310103488.2 | 申请日: | 2003-11-07 |
公开(公告)号: | CN1614796A | 公开(公告)日: | 2005-05-11 |
发明(设计)人: | 章炯昱;刘家呈;蔡东宏;许顺益;彭秋铭 | 申请(专利权)人: | 敏盛科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/40 | 分类号: | H01L51/40;H01L33/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 黄健 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明涉及一种多腔体分离磊晶层有机金属化学气相磊晶装置及方法,利用本发明提供的多腔体分离磊晶层有机金属化学气相磊晶装置可同时进行多个有机发光二极管组件的磊晶反应,并且使得不同型态的磊晶层经过阶段时间的调整能同时独立反应,藉此使多个有机发光二极管组件同时形成复数个不同型态的磊晶层,达到缩短制程时间的目的。 | ||
搜索关键词: | 多腔体 分离 磊晶层 有机 金属 化学 气相磊晶 装置 方法 | ||
【主权项】:
1、一种多腔体分离磊晶层有机金属化学气相磊晶方法,适用于有机发光二极管的磊晶层制程,该方法包含:提供复数个腔体,且每个腔体都具有个别独立的反应条件;形成复数个基板,将该复数个基板分别送入所述复数个不同腔体中;在该基板上长成磊晶一层;将长有磊晶一层的基板转送至P型腔体,并将复数第二基板移入所述复数个腔体长成第二基板的磊晶一层;长成磊晶二层,该磊晶二层位于磊晶一层上方,经过一定反应时间将基板移出P型腔体,并将所述长有磊晶一层的第二基板移入该P型腔体,长成第二基板的磊晶二层;其中,所述磊晶一层是经过复数个腔体间转出送入后完成,且基板在每个腔体间停留的反应时间为磊晶二层的长成时间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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